撰文：勾妙晴
最近，来自 hzdr 的研究人员宣布，他 们已经通过实验证明了长期以来关于张力下纳米线的理论预测。在实验中，研究人员制造了由 gaas 核 心和砷化铟铝壳组成的纳米线。最后，结果表明，研究人员 确实可以通过对纳米线施加拉伸应变来提高纳米线的电子迁移率。测量到ä 未 应变纳米线和块状 gaas 的相对迁移率增加约为 30%。研究人员认为， 他们可以在具有更大晶格失配的材料中实现更显着的增加。
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