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三星在晶体管方面采用的是栅极环绕型 (gate-all-around,gaa) 晶体管架构。相比台积电的finfet 晶体管,基于gaa的3nm技术成本肯定较高,但从性能表现上 来看,基于gaa架构的晶 体管可以提供比 finfet更好的静电特性,满足一定的珊极宽度要求,可以表现为同样工艺下,使用gaa架构 可以将芯片尺寸做的更小。
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